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8050三极管参数设置(8050三极管参数)

导读 大家好,小经来为大家解答以上的问题。8050三极管参数设置,8050三极管参数这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!1、s8050三极管基本...
2022-08-10 17:08:07

大家好,小经来为大家解答以上的问题。8050三极管参数设置,8050三极管参数这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!

1、s8050三极管基本参数:类型:NPN。

2、集电极耗散功率Pc:0.625W(贴片:0.3W)。

3、集电极电流Ic:0.5A。

4、集电极-基极电压Vcbo:40V。

5、集电极-发射极电压Vceo:25V。

6、集电极-发射极饱和电压Vce(sat): 0.6V。

7、特征频率f: 最小150MHz。

8、按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档。

9、放大倍数:B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350。

10、管脚排列顺序:E、B、C或E、C、B。

11、S8050是一款小功率NPN型硅管,集电极-基极(Vcbo)电压最大可为40V,集电极电流为(Ic)0.5A。

12、S8050是电路硬件设计最常用半导体三极管型号之一。

13、扩展资料理论原理:对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

14、当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Eb。

15、由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo。

16、参考资料来源:百度百科-S8050参考资料来源:百度百科-三极管。

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